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投稿指南
1.投稿方式
请通过E-mail:cgqywxt@163.com 进行投稿。
2.编辑时限
审稿周期:5个工作日；刊登周期：8个月。
3.论文要求
为使来稿格式符合国家科技期刊格式标准，根据常见的一些问题，特向广大作者提出以下要求：本刊主要刊登敏感元器件、传感器与微系统及其相关技术的文章。论文应理论清楚、正确，并且有详细实测数据，应提供中、英文的题名、作者与单位、摘要、关键词 、图与表题名， ...查看更多>>
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基于金硅原电池保护电容加速度计的制作
【出 处】：《
传感器与微系统
》
CSCD
2012年第31卷第1期 133-136页,共4页
【作 者】：
王辉
[1,2] ;
吴燕红
[1] ;
杨恒
[1]
【摘 要】
提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极，用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔，TMAH腐蚀实现质量块的释放，在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前，反镕丝保持断开状态，腐蚀完成后，击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25％TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5：1。成功制作成电容式加速度计结构，释放前后梁宽度均在9．4—10μm范围内，表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25kΩ之间。
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